ASTM E 1438-1991 用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
作者:标准资料网
时间:2024-04-29 21:30:52
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【英文标准名称】:StandardGuideforMeasuringWidthsofInterfacesinSputterDepthProfilingUsingSIMS
【原文标准名称】:用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
【标准号】:ASTME1438-1991
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1991
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:光谱测定法;半导体工艺
【英文主题词】:Semiconductortechnology;Spectrometry
【摘要】:
【中国标准分类号】:H80
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:2P;A4
【正文语种】:英语
【原文标准名称】:用次级离子质谱法(SIMS)测量溅射深度成形界面的宽度
【标准号】:ASTME1438-1991
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:1991
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:光谱测定法;半导体工艺
【英文主题词】:Semiconductortechnology;Spectrometry
【摘要】:
【中国标准分类号】:H80
【国际标准分类号】:29_045
【页数】:2P;A4
【正文语种】:英语
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